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《半导体技术》2019年06期

 
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趋势与展望
p型SiC欧姆接触理论及研究进展 黄玲琴;夏马力;谷晓钢;401-409半导体集成电路
芯片原子钟MEMS原子气室数字温控系统设计 刘召军;李坤;李云超;胡旭文;闫树斌;张彦军;410-414+420
一种高精度高转换效率的LED驱动电路 唐俊龙;罗磊;周斌腾;肖仕勋;谢海情;邹望辉;415-420
一种高线性无源双平衡混频器 曲韩宾;高思鑫;张晓朋;高博;421-425+432半导体器件
无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制 吴昊;康玄武;杨兵;张静;赵志波;孙跃;郑英奎;魏珂;闫江;426-432
蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT 顾国栋;敦少博;郭红雨;韩婷婷;吕元杰;房玉龙;张志荣;冯志红;433-437半导体制造技术
钝化处理对Al2O3/InP MOS电容界面特性的影响 李海鸥;李玺;李跃;刘英博;孙堂友;李琦;李陈成;陈永和;438-443
NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响 朱轩民;张静;马雪丽;李晓婷;闫江;李永亮;王文武;444-448+463
清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响 王云彪;何远东;吕菲;陈亚楠;田原;耿莉;449-453半导体材料
改善玻璃衬底上ZnO薄膜特性的方法 张彩珍;陈永刚;周庆华;454-458
物理气相传输法制备层状MoS2薄膜 钱盛亚;杨瑞霞;兰飞飞;459-463可靠性
基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真 陈治西;刘强;任青华;刘晨鹤;赵兰天;俞文杰;闵嘉华;464-470+487
不同脉冲工作条件对GaN HEMT器件结温的影响 刘霞美;翟玉卫;乔玉娥;梁法国;郑世棋;471-476半导体检测与设备
用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量 杨丹丹;王健;孙科伟;张胜男;金雷;程红娟;郝建民;477-482
基于DSRD的纳秒级固态脉冲发生器的研制 张琦;宋法伦;金晓;李飞;王淦平;483-487
《半导体技术》稿约 437
第13届国际专用集成电路会议征稿通知 488
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