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《半导体技术》2019年05期

 
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趋势与展望
金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势 赵金霞;321-328+334半导体集成电路
基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计 杨赟秀;袁菲;路小龙;景立;邓世杰;呙长冬;宋海智;张伟;329-334
一种性能指标可配置的SAR ADC的设计与实现 居水荣;谢亚伟;王津飞;朱樟明;335-341+348半导体器件
SiC MOSFET的短路特性 高勇;乔小可;孟昭亮;杨媛;342-348
基于喷墨打印的In2O3/IGZO TFT的电学性能 梁坤;邵霜霜;罗慢慢;谢建军;赵建文;崔铮;349-355
双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真 李晓;张瑞英;郭春扬;赵岳;356-361+373
基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模 薛佳男;刘逸哲;高建军;362-367+373半导体制造技术
n型双面TOPCon太阳电池钝化技术 于波;史金超;李锋;庞龙;刘克铭;于威;368-373半导体材料
图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响 盛百城;白欣娇;唐兰香;甘琨;袁凤坡;374-378
Co3O4-ZnO p-n异质结构低温丙酮气体传感器 韩楠;潘国峰;郑洁;王如;379-385+400
富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析 王昊宇;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;田树盛;陈春梅;刘惠生;386-389先进封装技术
先进电子器件封装中键合引线的电磁特性 左盼盼;王蒙军;郑宏兴;李尔平;390-394半导体检测与设备
基于Elman神经网络模型的IGBT寿命预测 刘子英;朱琛磊;395-400
征稿通知 第13届国际专用集成电路会议 315
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