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《半导体技术》2019年02期

 
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趋势与展望
超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展(续) 赵正平;81-86半导体集成电路
基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计 李硕;何进;陈婷;薛喆;王豪;常胜;黄启俊;魏恒;87-93
26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制 董毅敏;蔡道民;高学邦;邬佳晟;汪江涛;谭仁超;94-98+120
卫星通信系统CMOS分数分频频率综合器设计 曲韩宾;谷江;丁理想;高博;张晓朋;耿双利;吴兰;99-103+153
用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器 刘德志;王绍权;王鑫;马琳;104-109半导体器件
GaAs开关FET功率特性的研究 王磊;马伟宾;刘帅;110-114半导材料
Mg掺杂对溶胶-凝胶法生长MZO纳米薄膜性能的影响 贲旭博;端木庆铎;115-120可靠性
一种面向3D-IC中TSV阵列的动态双重自修复方法 邝艳梅;赵凯;缪旻;陈兢;罗昌浩;121-128
TLP连接下Ni-Sn-Cu接头显微结构演变与抗剪强度的关系 杨和月;李烈军;129-134+139
热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响 陈晓亮;陈天;钱忠健;张强;135-139半导体检测与设备
微波集成电路的低频噪声测试方法 贾晓菲;何亮;140-144
一种免滤波数字D类功率放大器功率级误差校正方法 于泽琦;屈海朋;陈晓雷;张春洋;张恩光;145-153
混合型直流断路器用IGBT测试平台建模与分析 邓二平;张传云;应晓亮;赵志斌;黄永章;154-160
稿约 93
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