目录
趋势与展望
太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展周瑞;王书杰;孙聂枫;陈春梅;邵会民;刘惠生;孙同年;577-585半导体集成电路
一种基于40nm CMOS工艺的超宽带高速ADC易政;郭轩;郑旭强;周磊;季尔优;吴旦昱;586-591
一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片王胜福;世娟;592-596半导体器件
位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响朱学亮;597-601+616
InP基HBT小信号模型参数直接提取方法徐坤;张金灿;王金婵;刘敏;刘博;602-608+644
双栅负电容隧穿场效应晶体管的仿真马师帅;朱慧珑;黄伟兴;609-616半导体材料
LEC法生长高质量6英寸InP单晶邵会民;孙聂枫;张晓丹;王书杰;刘惠生;孙同年;康永;617-622+651
6英寸SiC衬底上MOVPE生长GaN HEMT材料尹甲运;张志荣;李佳;房玉龙;郭艳敏;高楠;冯志红;623-626+637
利用三路脉冲MOCVD技术抑制非极性a面AlGaN外延层缺陷杨洪权;赵见国;胡平;何佳琦;范艾杰;627-631半导体制造技术
原位沉积温度对电子束蒸镀Ta2O5薄膜性能的影响于龙宇;王伟;刘孟杰;曹振勇;632-637
有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响高飞;李晖;张弛;638-644
高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺陈晓宇;葛洪磊;赵桂茹;孙有民;薛智民;645-651半导体检测与设备
化学法测定InxGa1-xN外延层中的In含量王雪蓉;刘运传;王倩倩;周燕萍;姚凯;马衍东;652-656